第171章 多晶硅技术的改进！（四更求月票！）
多晶硅，就是用石英矿石特别烧制出来的。
在经过提拉法提炼之后，便能得到一根整体的单硅晶棒。
提拉法是由18年时期，一个名叫扬·柴可拉斯基的化学研究学家，所研制的一种工艺。
单晶硅的主要生产，也是由此方法所生产。
“都已经准备好了！”孟国华上前一步说道。
“那好，既然已经安装完毕，那就先开机测试生产一下。”白杨继续安排道。
“明白！”孟国华转身看向身后的组员。
众人按照技术图纸，安装设备期间，对这台硅单晶炉设备各个工序，都已经很熟悉嘞。
听到组长的话，众人立即行动了起来。
“将多晶硅倒进坩埚中！”
“随后启动电源，开始对多晶硅进行加热！”
……
在孟国华的安排下，小组成员们，先将准备好的多晶硅，倒入了同样是石英材质的坩埚之中。
随后按下电闸，启动了电弧加热。
石英坩埚并不大，高度大概在人腰间左右。
随着一块块银色的多硅晶，被小心翼翼的放入坩埚内之后，便缓缓合上了盖子。
随着温度逐渐的上升，逐渐来到了1412摄氏度。
硅的熔点约在1400摄氏度，加温温度，也多数是略高一些。
因此，在1412摄氏度的加热下，内部的多晶硅也随着加热，成为了纯度更高的液态多晶硅。
随着固态多硅晶在高温下，变成了硅溶液之后。
孟国华稍微停顿了一下，在感觉时间上差不多之后，便再次出声安排道。
“放入籽晶，开始引晶！”
一根大概8*120的100晶向籽晶，通过特定的槽口，缓缓插入了坩埚内部，在深入两三毫米的位置停顿了一下。
“注意控制温度和提拉速度！”孟国华神色凝重，这一步可以说是形成硅棒最关键的一步。
籽晶就是一根细小的单晶硅！
提拉法的原理，就是是将构成晶体的原料，放在坩埚中加热熔化。
然后在熔体表面接籽晶，提拉熔体。
在受控条件下，使籽晶和熔体在交界面上，不断进行原子或分子的重新排列，随着降温逐渐凝固而生长出单晶体。
透过隔热玻璃罩，众人可以看到。
随着籽晶的缓慢旋转提拉，硅溶液在热毛细对流的作用下，开始沿着籽晶的晶向开始生长。
工作人员们，也在稳步控制着温度与提拉速度，保持合适的温度梯度和提拉速度，可以尽量减少晶体直径变形。
随着稳步提拉，原本细小的硅单晶籽晶，此时已经成为了一根乌黑粗壮的柱体状。
就如同伸进去一根笔，但却拉出了一根硅单晶大棒！
随着拉缇完成，一根纯净的硅单晶也由此被生产了出来。
“不要着急，等缓慢降温退火后再取出来！”不过众人依旧没有放松警惕。
并开始逐步降低坩埚内的温度，让硅单晶棒内部不会产生内部应力。
……
很快，按照毛熊的技术手册操作，一根纯净的硅单晶棒便被放在货架上，推到了众人面前。
当然，这个纯度想要用在计算机上肯定还是不够的，但用在其他方面是足够了。
长长的硅单晶棒如同一枚导弹一般，光滑的表面，通体反射着黑色的技术光泽。
“白所长，硅单晶出来了！”孟国华停下说道。
“拿去进行切割打磨，而后测试一下良品率就行了。”白杨凑近仔细观察了一下，点了点头说道。
“好！”孟国华有些疑惑，毕竟这些毛熊那边都已经给了相关的数据了。
不过他们对白所长都很信服，让他们做他们就干脆的去做了。
……
等到晚上，测试结果就已经放在了白杨的办公桌上。
“霍助理，让基片科研小组去会议室一趟。”白杨揉了揉眼睛，将手里方案放下后，拿着刚送来的报告起身说道。
“我这就去通知。”虽然时间已经不晚了，但计算机科研的各个小组都没下班。
白杨在会议室内等了一会，很快基片科研小组便在孟国华的带领下走了进来。
“白所长。”
“都先坐吧！”
……
双方相互打了个招呼之后，随着人员坐定，白杨也将手中的报告朝着他们扬了扬。
“大家今天进行了第一次的硅单晶生产，并且获得了测试结果！”
“我知道有些同志可能会疑惑，毛熊的技术手册上都有了，为什么还要再生产测试一遍？”
“但有些东西，大家不进行实践，是不会理解内部的具体情况的。”
“所以接下来，我来说一下有关于硅单晶炉的改进研究方向。”
听到白杨的话，众人立即拿出了笔记本，求知若渴的眼神紧紧的盯着他。
“首先是温度！”
“温度是影响晶体品质的关键因素，不良的温度场会导致晶体棒产生位错与缺位。”他说着，在黑板上写上了重点——温度。
“在温度的影响下，晶体棒提拉的过程中，会产生温度梯度，产生热弹应力。”
“当热弹应力超过临界值的时候，便会造成缺陷大量增加。”
……
与此同时，中科院力学研究所内，钱先生也在为众人讲解着导弹原理。
龙国的大部分研究所，明里暗里，大部分都亮着灯光。
在灯光下，是一道道闪烁着亮光，充满求知的双眸。
随着钱先生等人的回国，龙国的发展在此刻，似乎也有了明确的方向。
接下来的一段时间里，白杨不断地拿出方案，交给计算机的各个科研小组。
有着正确的技术方向引导，他们的研究也同样未碰到什么太大的瓶颈。
只是在镜片与定向机移动精度方面，白杨还特意找来了国内的天文学家。
毛熊那边的半导体研究设备，也很快运送到了他们研究所。
等设备到了之后，他便带队研制出了第一批mos管，交给了刘永坦进行研究。
接下来的脉冲多普勒雷达研究之中，集成电路无疑是核心的技术部分。
不过在此之前，雷达研究室方面，可以针对mos晶体管方面先进行了解，以便于今后的应用研究上。